Under bump metal : erreurs de conception qui ruinent la fiabilité des bumps

On reçoit un lot de flip chips après assemblage, et les premiers retours de test révèlent des résistances de contact anormalement élevées. Le diagnostic pointe vers l’UBM, pas vers la brasure elle-même. Dans la plupart des cas, la défaillance ne vient pas d’un matériau mal choisi, mais d’une séquence de conception ou de dépôt qui a laissé passer une faiblesse structurelle sous le bump.

Chemins de fissuration dans l’UBM : où la rupture commence vraiment

Sur une coupe métallographique, on observe rarement une fissure qui traverse la brasure de part en part. Le crack préférentiel se propage à l’interface entre les intermétalliques et l’UBM, ou entre l’UBM et le métal de base du die. L’étude de Yifan Guo (Skyworks) classe ces modes de défaillance en cinq familles distinctes, dont les plus critiques concernent la zone UBM-IMC et la zone IMC-solder.

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En pratique, la fissure s’amorce là où la contamination de flux ou un vide d’underfill crée un défaut local. Ce défaut agit comme un concentrateur de contraintes. Si le design UBM n’a pas prévu de marge sur l’épaisseur de la couche barrière, la propagation est rapide et la défaillance survient bien avant la fin de vie attendue du produit.

Pour qu’un interconnect soit fiable, la fissure doit rester confinée dans la brasure, qui présente une meilleure résistance en fatigue que les couches minces de l’UBM. Quand la rupture migre vers l’UBM ou le métal de base, c’est le signe que la conception métallurgique n’a pas tenu son rôle de fusible contrôlé.

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Coupe transversale d'une carte de circuit imprimé révélant des défauts de délaminage dans la métallisation sous les bumps de soudure en microscopie électronique

Couche barrière nickel : erreurs de dimensionnement fréquentes

La couche de nickel dans l’empilement UBM remplit une fonction précise : bloquer la diffusion du cuivre vers la brasure pendant les cycles thermiques. Si cette barrière est trop fine, le cuivre migre, forme des composés intermétalliques fragiles (Cu6Sn5 notamment), et l’interface perd sa tenue mécanique.

Les travaux de Chen, Ku et Chen (National Chiao Tung University) montrent qu’une structure Cu/Ni offre une durée de vie en électromigration supérieure à une structure Cu seule. L’ajout de la couche de nickel réduit la densité de courant maximale et la température au point chaud dans la brasure. Sans cette couche, le mode de défaillance dominant est la dissolution de la couche de cuivre et la formation d’intermétalliques instables.

Ce qui change avec le nickel en place

Avec un UBM Cu/Ni, le mode de défaillance se déplace vers la formation de vides à l’interface Ni3Sn4/brasure. C’est un mode plus prévisible et plus lent, donc plus gérable en fiabilité. Le choix d’une barrière nickel ne supprime pas la défaillance, il la déplace vers un mode moins brutal.

L’erreur fréquente consiste à réduire l’épaisseur de nickel pour gagner sur le budget de dépôt ou simplifier le procédé. On gagne quelques minutes de process, et on perd en robustesse thermomécanique sur toute la durée de vie du produit.

Interactions bumping-packaging : l’angle mort du CPI

Le procédé de bumping ne se limite pas à déposer un alliage sur un pad. Les travaux de Lei Fu et al. (AMD) sur le Chip Package Interaction (CPI) montrent que le process de bumping affecte directement la fiabilité de l’ensemble puce-substrat. Les contraintes mécaniques générées pendant l’assemblage se concentrent aux interfaces UBM, et un procédé mal calibré amplifie ces contraintes.

Les erreurs de conception qui dégradent le CPI ne sont pas toujours visibles au contrôle initial. Elles se manifestent après cyclage thermique, quand les différences de coefficient de dilatation entre die, underfill et substrat sollicitent les couches minces de l’UBM bien au-delà de leur zone élastique.

Points de vigilance sur le procédé de dépôt UBM

Plusieurs paramètres de fabrication influencent directement la tenue de l’empilement UBM :

  • La rugosité de surface du pad avant dépôt conditionne l’adhérence de la première couche. Un nettoyage plasma insuffisant laisse des résidus organiques qui créent des délaminations précoces.
  • Le contrôle de l’épaisseur de chaque couche (adhésion, barrière, mouillage) doit rester dans des tolérances serrées. Une variation de quelques dixièmes de micron sur la barrière nickel peut suffire à changer le mode de défaillance.
  • La séquence de dépôt, notamment le délai entre couches, affecte la qualité des interfaces. Une oxydation intermédiaire, même légère, dégrade l’adhésion entre couches.
  • Le profil thermique du reflow post-bumping détermine l’épaisseur et la morphologie des intermétalliques formés. Un pic trop long favorise la croissance d’IMC fragiles.

Ingénieure en fiabilité des semi-conducteurs analysant des cartographies de défauts sur des bumps flip-chip à son poste de travail en bureau technique

Miniaturisation des bumps et diffusion accélérée dans l’UBM

Avec la tendance vers des pitchs de plus en plus fins et des bumps de diamètre réduit, les volumes de brasure diminuent. Mécaniquement, un bump plus petit laisse moins de matière pour absorber les contraintes thermomécaniques. La part relative de l’UBM et des intermétalliques dans le volume total du joint augmente, ce qui rend chaque défaut de couche mince proportionnellement plus critique.

Dans les architectures chiplet et 3D packaging, les micro-bumps posent un problème supplémentaire : la diffusion dans les couches UBM est accélérée parce que les distances sont plus courtes et les densités de courant plus élevées. Les modes de défaillance classiques, documentés sur des bumps conventionnels, ne se transposent pas directement.

Les retours varient sur ce point selon les technologies et les fondeurs, mais la tendance générale montre que les règles de conception UBM établies pour des bumps standard ne suffisent plus sous la barre des cent microns.

Fiabilité UBM en technologie lead-free : ce que le sans-plomb change

Le passage aux alliages sans plomb (Sn-Ag, Sn-Ag-Cu) a modifié les interactions métallurgiques avec l’UBM. Les brasures sans plomb forment des intermétalliques différents, avec des cinétiques de croissance plus rapides que dans les systèmes Sn-Pb classiques. L’empilement UBM qui fonctionnait avec un alliage Sn-Pb peut se révéler inadapté en lead-free.

L’étude comparative de Guo montre que les modes de fissuration diffèrent entre Sn-Pb et Sn-Ag : la localisation du crack et l’énergie nécessaire à sa propagation changent. Transposer un design UBM d’un alliage à l’autre sans requalification est une source classique de défaillance terrain.

La conception d’un empilement UBM fiable repose sur un équilibre entre épaisseurs de couches, choix de matériaux barrière et compatibilité avec l’alliage de brasure. Chaque modification de procédé, même mineure, déplace le mode de défaillance. On ne résout pas un problème de fiabilité UBM en ajoutant une couche : on le résout en comprenant où la fissure veut aller, et en s’assurant qu’elle reste dans la brasure.

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